Для описания дефектной структуры полупроводникового кремния создаётся триада: физическая плюс математическая модель — вычислительный алгоритм — программа. Это решение может быть использовано как при изучении свойств кристаллов, так и в промышленном производстве. Такое решение является основным принципом при исследовании структурных дефектов в любом твёрдом теле. Представлена структурная схема диффузионной модели образования структурных дефектов в кристалле и вычислительный алгоритм.
Ссылка на издательство: https://novapublishers.com