Talanin V.I., Talanin I.E., Ustimenko N.Ph. Analysis and calculation of the formation of grown-in microdefects in dislocation-free silicon single crystals // Crystallography Reports. – 2012. – Vol. 57, N. 7. – P. 898-902.

Проанализирована физическая модель образования ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния. Математические модели, используемые для описания процесса дефектообразования в кристаллах во время их роста, подтверждают адекватность физической модели. Предложена техника определения и расчёта дефектной структуры в зависимости от условий роста кристалла (метода выращивания, скорости роста, температурных градиентов, скорости охлаждения). Показано, что теоретическое изучение реальной кристаллической структуры в зависимости от термических условий роста с использованием оригинальной виртуальной техники для анализа и расчёта образования ростовых микродефектов является новой экспериментальной методикой.