Talanin V.I., Talanin I.E. A selective review of the simulation of the defect structure of dislocation-free silicon single crystals // Open Condensed Matter Physics Journal – 2011. – Vol. 4. – P. 8-32.

Проведён краткий обзор современного состояния теоретического описания дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния. Акцент был сделан на новую диффузионную модель образования ростовых микродефектов. Показано, что диффузионная модель может описать высокотемпературную преципитацию примесей при охлаждении кристалла после выращивания. Показано, что модель динамики точечных дефектов может рассматриваться как составная часть диффузионной модели образования ростовых микродефектов.