Предложена математическая модель образования первичных ростовых микродефектов. Модель построена на базе диссоциативного процесса диффузии. Изучено взаимодействие между кислородом-вакансиями (O + V) и углеродом-межузельниками (C + I) вблизи фронта кристаллизации в бездислокационных монокристаллах кремния, выращенных методами бестигельной зонной плавки и Чохральского. Полученные формулы аппроксимации соответствуют гетерогенному механизму образования ростовых микродефектов.