Представлена математическая модель образования первичных ростовых микродефектов на основе диссоциативной диффузии. Для бездислокационных монокристаллов кремния, выращенных методами бестигельной зонной плавки и Чохральского, вблизи фронта кристаллизации рассмотрены случаи «вакансия-кислород» (V + O) и «углерод – межузельный атом» (C + I). Аналитические аппроксимационные выражения, полученные посредством введения в кристалл 1D и 2D температурных полей, хорошо согласуются с гетерогенным механизмом образования ростовых микродефектов.