Talanin V.I., Talanin I.E. Mechanism of formation and physical classification of the grown-in microdefects in semiconductor silicon // Defect & Diffusion Forum. – 2004. – Vol. 230-232. – Р. 177-198.

В статье представлена схема механизма образования и трансформации ростовых микродефектов в кристаллах, выращенных методами бестигельной зонной плавки и Чохральского, как функция от скорости роста кристалла. Установлено и подтверждено экспериментально, что концентрации вакансий и собственных межузельных атомов у фронта кристаллизации вблизи точки плавления сравнимы, рекомбинация собственных точечных дефектов при высоких температурах отсутствует. Распад пересыщенного твёрдого раствора точечных дефектов при охлаждении кремния ниже температуры кристаллизации протекает по двум независимым механизмам: вакансионному и межузельному. Движущей силой дефектообразования являются исходные примесные центры: кислородно-вакансионные и углеродно-межузельные агломераты. При определённых условиях роста агрегация точечных дефектов по вакансионно-межузельному и межузельному направлениям приводит к появлению вторичных дефектов вокруг первичных кислородно-вакасионных и углеродно-межузельных агрегатов, каковые дефекты именуются соответственно вакансионными микропорами и межузельными дислокационными петлями. На основании экспериментальных результатов предложена физическая классификация ростовых микродефектов. Она исходит из факта гетерогенного образования и трансформации ростовых микродефектов.