Talanin V.I., Talanin I.E., Matsko O. Simulation of the creation of a defect structure of dislocation-free germanium single crystals // J. Cryst. Growth. — 2020. — Vol. 533. — Article 125472.

Базисом для модели высокотемпературной примесной преципитации является распад пересыщенного твёрдого раствора точечных дефектов вблизи фронта кристаллизации. Необходимое условие для высокотемпературной преципитации — отсутствие рекомбинационных процессов собственных точечных дефектов (СТД, вакансий и собственных межузельных атомов) при высоких температурах. При использовании терминов и концептов рекомбинационно-диффузионной модели Воронкова были оценены рекомбинационные параметры монокристаллов германия. Показано, что при высоких температурах в германии наличествует барьер против рекомбинации СТД.

Предполагается, что образование структурных несовершенств, так же как и в кремнии, происходит за счёт взаимодействия «примесь + СТД». Рассмотрена возможность применения математического аппарата диффузионной модели образования структурных несовершенств к образованию дефектной структуры нелегированных бездислокационных монокристаллов германия.