Talanin V.I., Talanin I.E., Levinson D.I. Physical model of paths of microdefects nucleation in dislocation-free single crystals float-zone silicon // Crystal Research & Technology. – 2002. – Vol. 37, № 9. – Р. 983-1010.

С помощью селективного травления и просвечивающей электронной микроскопии проведены комплексные исследования бездислокационных монокристаллов бестигельного кремния диаметром 30 мм. Кристаллы были получены с различными скоростями роста и подвергались различным технологическим обработкам. Установлено, что процесс образования микродефектов в кремнии происходит одновременно по двум независимым механизмам: вакансионному и межузельному. Предложена физическая модель образования микродефектов в бездислокационных монокристаллах бестигельного кремния.

Talanin V.I., Talanin I.E., Levinson D.I. Physics of the formation of microdefects in dislocation-free monocrystals of float-zone silicon // Semiconductor Science & Technology. – 2002. – Vol. 17, № 2. – Р. 104-113.

В работе посредством просвечивающей электронной микроскопии, оптической микроскопии и рентгеновской топографии исследовались нелегированные бездислокационные монокристаллы бестигельного кремния. Кристаллы были получены с различными скоростями роста (от 1.0 до 9.0 мм/мин) и подвергались различным термообработкам. Экспериментально определены температуры образования микродефектов различных типов, а также установлен механизм трансформации межузельных микродефектов. На основании литературных данных и новых результатов, полученных авторами, установлено, что образование микродефектов в кремнии происходит по двум независимым механизмам: вакансионному и межузельному. В результате обоих механизмов образуются D-микродефекты в виде межузельных агломератов. Предположено, что критический параметр V/G = Ccrit описывает условия появления/исчезновения вакансионных микродефектов. На основании этих результатов предложена физическая модель образования микродефектов в бестигельном кремнии и обсуждены другие известные модели.